高電圧増幅器
OPｱﾝﾌﾟ方式 高電圧増幅器
OPｱﾝﾌﾟ方式の高電圧増幅器は、ｽｲｯﾁﾝｸﾞ方式と比較して極めてﾛｰﾉｲｽﾞで
あり、ｱﾅﾛｸﾞ入力信号に対して正確に追従し増幅することができます。
このｻｲﾄでは、増幅器を高電圧出力化するためにmosFETを多段接続した
ﾌﾞｰｽﾀｰｱﾝﾌﾟ出力部の問題点を解消し、OPｱﾝﾌﾟ方式高電圧増幅器の高速化
広帯域化を目指します。
ギャラリー
出力段mosFET 1段構成
±1kV出力程度の高電圧増幅器を
出力段mosFET正負各1段で構成
した基本的な回路を検討します
出力段mosFET 2段構成
高電圧増幅器を出力段mosFETの
正側、負側を各2段で構成した回路
とその問題点を検討します
GBｺﾝﾃﾞﾝｻによる性能改善
出力段mosFETを複数段接続した
場合の問題を解決する
GSBｺﾝﾃﾞﾝｻ
GBｺﾝﾃﾞﾝｻ
の働きを説明します
位相補償
ﾌﾞｰｽﾀｰｱﾝﾌﾟ部の帯域を維持し増幅器
の発信を防止するための位相補償を
検討します
更に、無負荷時の発信防止対策も行
います
その他
低電圧で動作するOPｱﾝﾌﾟと高電圧
ﾌﾞｰｽﾀｰｱﾝﾌﾟ部を分離するための
ﾌｫﾄ･ｶﾌﾟﾗの応答を高速化し、高電圧
増幅器の高ｽﾙｰﾚｰﾄ化を検討します
高電圧増幅器の性能
実際に製作した高電圧増幅器
・正負出力型(例：±5kV出力)
・正出力型(例：0〜+5kV出力)
・負出力型(例：-5kV〜0V出力)
から得られた特性です
informationお知らせ
- 2023年 9月20日
- 本ｻｲﾄを開設しました
- 2023年10月 1日
- 高電圧増幅器を共同開発したいとお考えの部品の実装設計、製造技術をお持ちの企業様のお申し出を歓迎いたします
- 2023年10月10日
- 高電圧増幅器の定電流動作ﾓｰﾄﾞPAGE111〜115を掲載しました
- 2023年11月 1日
- 相模原市南区に事務所を設けました
profile
高電圧増幅器のabc
お問い合わせ
mail：contact@abc-of-hvamp.sakura.ne.jp
1) 本掲載内容を無断で転載することを禁止いたします。
また、その内容に関して一切責任を負いかねます。
2)本掲載内容を断りなく追加、修正、削除することがあります。
3) 本掲載内容には複数の特許案件(出願中のものを含む)が含まれていますのでご注意ください。
4) 高電圧を扱うことは非常に危険を伴います。
本掲載回路を応用した機器で発生した事件、事故、健康被害等に対して当ｻｲﾄは一切責任を負いかねます。
5) 本ｻｲﾄでｼﾐｭﾚｰｼｮﾝしている回路の電子部品(半導体、抵抗、ｺﾝﾃﾞﾝｻ等)の型名や特性、及び
要求される性能等の詳細は示しておりません。