高電圧増幅器
出力段mosFET 2段構成 その2
高電圧増幅器を出力段mosFETの正側、負側を2段で構成した回路Fig21-1を改良し、その問題点を検討します
Fig 22-1
応答を改善するために、±2kV出力高電圧増幅回路Fig21-1のR101、R102、R201、R202の抵抗値を単に5MΩから500kΩに1桁下げた回路です。
従って、Q101-G、Q201-Gは500kΩ//500kΩ＝250kΩでﾄﾞﾗｲﾌﾞされます。
R101、R102、R201、R202には最大2kV加わるので、これら抵抗の電力損失は最大8Wと非常に大きくなります。
従って、Q101-G、Q201-Gは500kΩ//500kΩ＝250kΩでﾄﾞﾗｲﾌﾞされます。
R101、R102、R201、R202には最大2kV加わるので、これら抵抗の電力損失は最大8Wと非常に大きくなります。
Fig 22-2
Q101-G：Q101のｹﾞｰﾄ波形 Q201-G：Q201のｹﾞｰﾄ波形
2kHz、±10Vpk正弦波入力に対する±2kVpk出力波形です。
Q101-G、Q201-G 及び出力の位相にズレが生じていますが、周波数が2kHzなら出力波形は歪んでいません。
2kHz、±10Vpk正弦波入力に対する±2kVpk出力波形です。
Q101-G、Q201-G 及び出力の位相にズレが生じていますが、周波数が2kHzなら出力波形は歪んでいません。
Fig 22-3
Q101-G：Q101のｹﾞｰﾄ波形 Q201-G：Q201のｹﾞｰﾄ波形
4kHz、±10Vpk正弦波入力に対する±2kVpk出力波形です。
Q101-G、Q201-G 及び出力の位相ズレが大きくなり、周波数4kHzでは出力波形が歪んでいます。
4kHz、±10Vpk正弦波入力に対する±2kVpk出力波形です。
Q101-G、Q201-G 及び出力の位相ズレが大きくなり、周波数4kHzでは出力波形が歪んでいます。