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高電圧増幅器

出力段mosFET 2段構成 その4

その3の回路をより簡素化し、更に性能を改善した回路を検討します

 
 
 
Fig 24-1

高耐圧mosFET Q101、QQ201をそれぞれ入力容量の小さな1つの低耐圧mosFETでドライブしています。
また、Fig23-1におけるR101、R102、R201、R202に相当する抵抗を5MΩ(Fig21-1と同じ抵抗値)に上げて抵抗の損失を抑えています。
(詳細回路は非公開)
 
 
Fig 24-2

 Q101-G:Q101のゲート波形  Q201-G:Q201のゲート波形

5kHz、±10Vpk正弦波入力に対する±2kVpk出力波形です。
Q101-G、Q201-G 及び出力の位相ズレがなく、周波数が5kHzでも出力波形は歪んでいません。
 
 
Fig 24-3

 Q101-G:Q101のゲート波形  Q201-G:Q201のゲート波形
 
10kHz、±10Vpk正弦波入力に対する±2kVpk出力波形です。
Q101-G、Q201-G 及び出力に位相ズレはありませんが、周波数が10kHzの出力波形は、スルーレート不足で波形が歪み、かつ振幅が小さくなっています。
本回路は高電圧増幅器としてかなり実用的ですが、10kHzでも歪まないFig55-1の回路(非公開)に比べると、性能は劣っています。