高電圧増幅器
正出力型の高電圧増幅器
正負出力型とほぼ同じ回路構成で正出力型の高電圧増幅器が実現できます
Fig 34-1
0〜6kV正出力型の高電圧増幅器です。
GBｺﾝﾃﾞﾝｻは正負出力型に限らず、正出力型、負出力型に対しても応用可能です。
3段構成の±3kV出力と同様に、0〜6kV出力であっても3段構成のmosFETに加わる最大電圧は各段2kVです。
+HVpsは6200V必要ですが、-HVpsは100V程度あれば下限の0Vﾚﾍﾞﾙまで出力可能です。
正側の10MΩの抵抗R101〜R103に流している静止電流は約207uAです。
負側の抵抗R201、R202、R203は正側の抵抗10MΩより小さな3.3MΩとして、静止電流を約9.1uA確保しています。
GBｺﾝﾃﾞﾝｻは正負出力型に限らず、正出力型、負出力型に対しても応用可能です。
3段構成の±3kV出力と同様に、0〜6kV出力であっても3段構成のmosFETに加わる最大電圧は各段2kVです。
+HVpsは6200V必要ですが、-HVpsは100V程度あれば下限の0Vﾚﾍﾞﾙまで出力可能です。
正側の10MΩの抵抗R101〜R103に流している静止電流は約207uAです。
負側の抵抗R201、R202、R203は正側の抵抗10MΩより小さな3.3MΩとして、静止電流を約9.1uA確保しています。
Fig 34-2
1kHz、0〜10Vpk正弦波入力時の0〜6kVpk出力波形です。