高電圧増幅器
高圧電源立ち上げ時の電圧ﾊﾞﾗﾝｽ
不安定な高圧電源の立上げ時、各mosFETに加わる電圧ﾊﾞﾗﾝｽが崩れて
いないかを確認します
Fig 35-1
Fig33-1の回路と同じですが、±HVps高圧電源の立上がりをなだらかにしています。
電源ON時、±15V電源は、一般的に高圧電源より立上がりが早いので、t=0mSで立上がっているものとしています。
また10Hz、±1.5Vpkの正弦波入力信号もt=0mSから印加されています。
電源ON時、±15V電源は、一般的に高圧電源より立上がりが早いので、t=0mSで立上がっているものとしています。
また10Hz、±1.5Vpkの正弦波入力信号もt=0mSから印加されています。
Fig 35-2
Q101-S：Q101のｿｰｽ波形 Q102-S：Q102のｿｰｽ波形
Q201-S：Q201のｿｰｽ波形 Q202-S：Q202のｿｰｽ波形
+HVps ：+3100V高圧電源 -HVps ：-3100V高圧電源
±HVps高圧電源が30mSで立上がったときの各mosFETのｹﾞｰﾄと出力の応答波形です。
(実際には30mSほどの短時間で高圧電源を立上げることは、難しい。)
出力には高圧電源が立上がってから更に200mSほど遅れてから波形が現れています。
正弦波出力波形が現れる手前の約50mS間で、出力が多少不安定となっています。
Q201-S：Q201のｿｰｽ波形 Q202-S：Q202のｿｰｽ波形
+HVps ：+3100V高圧電源 -HVps ：-3100V高圧電源
±HVps高圧電源が30mSで立上がったときの各mosFETのｹﾞｰﾄと出力の応答波形です。
(実際には30mSほどの短時間で高圧電源を立上げることは、難しい。)
出力には高圧電源が立上がってから更に200mSほど遅れてから波形が現れています。
正弦波出力波形が現れる手前の約50mS間で、出力が多少不安定となっています。
Fig 35-3
Q101-S：Q101のｿｰｽ波形 Q102-S：Q102のｿｰｽ波形
Q201-S：Q201のｿｰｽ波形 Q202-S：Q202のｿｰｽ波形
+HVps ：+3100V高圧電源 -HVps ：-3100V高圧電源
±HVps高圧電源が150mSで立上がったときの各mosFETのｹﾞｰﾄと出力の応答波形です。
出力には高圧電源が立上がってから更に100mSほど遅れてから波形が現れています。
Q201-S：Q201のｿｰｽ波形 Q202-S：Q202のｿｰｽ波形
+HVps ：+3100V高圧電源 -HVps ：-3100V高圧電源
±HVps高圧電源が150mSで立上がったときの各mosFETのｹﾞｰﾄと出力の応答波形です。
出力には高圧電源が立上がってから更に100mSほど遅れてから波形が現れています。
Fig 35-4
Q101-S：Q101のｿｰｽ波形 Q102-S：Q102のｿｰｽ波形
Q201-S：Q201のｿｰｽ波形 Q202-S：Q202のｿｰｽ波形
+HVps ：+3100V高圧電源 -HVps ：-3100V高圧電源
±HVps高圧電源が750mSで立上がったときの各mosFETのｹﾞｰﾄと出力の応答波形です。
立上がりが遅いので、出力には高圧電源が完全に立上がるより約200mS手前から波形が現れています。
正弦波出力波形が現れる前後の約50mS間で、出力が多少不安定となっています(発信と似た現象)。
高圧電源の立上がり時間が30mS(Fig35-2)、150mS(Fig35-3)、750mS(Fig35-4)の何れにおいても
±HVps高圧電源が安定するまでの立上がり時に、特定のmosFETに電圧が過大に印加されることなく均等にﾊﾞﾗﾝｽが保たれています。
Q201-S：Q201のｿｰｽ波形 Q202-S：Q202のｿｰｽ波形
+HVps ：+3100V高圧電源 -HVps ：-3100V高圧電源
±HVps高圧電源が750mSで立上がったときの各mosFETのｹﾞｰﾄと出力の応答波形です。
立上がりが遅いので、出力には高圧電源が完全に立上がるより約200mS手前から波形が現れています。
正弦波出力波形が現れる前後の約50mS間で、出力が多少不安定となっています(発信と似た現象)。
高圧電源の立上がり時間が30mS(Fig35-2)、150mS(Fig35-3)、750mS(Fig35-4)の何れにおいても
±HVps高圧電源が安定するまでの立上がり時に、特定のmosFETに電圧が過大に印加されることなく均等にﾊﾞﾗﾝｽが保たれています。